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南华大学郭剑博士的论文入选第八届中国科协优秀科技论文

发布时间:2023-11-22    作者:文/刘阳 段凌峰    点击:     

近日,由中国科协组织开展的第八届优秀科技论文遴选计划结果揭晓,南华大学机械工程学院郭剑联合西南交通大学钱林茂教授团队于2022年7月在Friction(卓越行动计划领军期刊)发表的题为“Mechanochemical reactions of GaN–Al2O3interface at the nanoasperity contact: Roles of crystallographic polarity and ambient humidity”的论文入选第八届中国科协优秀科技论文。本论文归属制造业与材料学科集群,来自本集群的9大学科专家共推荐论文684篇,经529名评审专家网上评议和21名专家组成的终审评审专家委员会现场评审,最终评选出22篇优秀论文。另外,本论文也是2023年度摩擦学研究领域唯一的获奖论文。

链接:https://www.cast.org.cn/xw/tzgg/KJCX/art/2023/art_b792448510244338b3a1a5fbaaa42bba.html

第八届中国科协优秀科技论文遴选计划入选论文名单


化学机械抛光(CMP)是获得原子/近原子级平整度GaN衬底的先决条件。由于缺乏对GaN晶体机械-化学耦合微观去除机理的科学认识,其CMP技术尚存效率低、缺陷控制难的问题。为此,本论文从摩擦学角度,借助原子力显微镜等手段,独立研究单个Al2O3抛光磨粒作用下GaN衬底的微观磨损机理。发现Al2O3‒GaN界面的摩擦化学反应(机械化学反应)是低压力条件GaN发生磨损的原因;与机械去除相比,这种由摩擦化学反应诱导的磨损行为不引起亚表面的晶格损伤。晶体极性和环境湿度强烈影响摩擦化学反应,进而导致磨损形态和磨损量(率)的差异;相对湿度越高,摩擦化学反应加剧,N极性面的磨损越严重。结合微区XPS和TEM等分析,总结出GaN表面因悬键结构引起的差异性摩擦化学去除模型—表面悬键与OH间的斥力是决定摩擦化学反应活性的原因。本论文可为GaN衬底和晶圆表面高效率、低损伤的超精密加工提供重要的理论依据。

Ga极性和N极性GaN表面不同湿度纳米磨损的原子力显微镜形貌

GaN表面悬键依赖的差异性微观去除模型

据悉,“优秀科技论文遴选计划”自2016年开始由中国科协组织评选,旨在贯彻落实习近平总书记关于办好一流学术期刊的重要指示,鼓励科技工作者将更多高水平研究成果在国内期刊发表,维护我国科技期刊的成果首发权,掌握学术评价的主导权,从源头上推动我国科技期刊高质量发展。入选论文是我国科技期刊上的优秀论文代表,也是对广大科技工作者的科技创新的高度肯定。

郭剑博士长期致力于机械摩擦学和微纳制造的研究,进入南华大学工作以来已在FrictionTribology InternationalApplied Surface Science等国际权威期刊发表论文10余篇;因科研业绩突出,于2022年入选学校青年优秀人才。

责任编辑:新闻网管理员

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